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FGH75T65SQD-F155 /IGBT 晶体管 650V FS4 Trench IGBT
FGH75T65SQD-F155的规格信息
FGH75T65SQD-F155的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:是

技术:Si

封装 / 箱体:TO-247-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V

集电极—射极饱和电压:1.6 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:150 A

Pd-功率耗散:375 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:FGH75T65SQD

封装:Tube

商标:ON Semiconductor / Fairchild

栅极—射极漏泄电流:+/- 400 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:450

子类别:IGBTs

零件号别名:FGH75T65SQD_F155

单位重量:6.390 g

供应商FGH75T65SQD-F155
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Digi-Key 得捷电子		FGH75T65SQD-F155ON SemiconductorIGBT 650V 150A 375W TO247$6.88000
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