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FGAF20N60SMD /IGBT 晶体管 600 V 40 A 62.5 W
FGAF20N60SMD的规格信息
FGAF20N60SMD的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:是

技术:Si

封装 / 箱体:TO-3PF

安装风格:Through Hole

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:1.9 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:40 A

Pd-功率耗散:62.5 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:FGAF20N60SMD

封装:Tube

商标:ON Semiconductor / Fairchild

栅极—射极漏泄电流:400 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:360

子类别:IGBTs

单位重量:7 g

供应商FGAF20N60SMD
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司FGAF20N60SMD深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
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18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
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13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
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深圳市毅创腾电子科技有限公司FGAF20N60SMD深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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FGAF20N60SMD的全球分销商及价格
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		FGAF20N60SMDFairchild SemiconductorIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 600 V 40 A 62.5 W1+:￥26.2599
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
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Verical		FGAF20N60SMDFairchild SemiconductorIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 600 V 40 A 62.5 W1+:￥26.2599
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