标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：-

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：120mA（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：10 欧姆 @ 200mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：0.31nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：11pF @ 10V

功率 - 最大值：350mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：SOT-23

其它名称：FDV302P_NB8V001-NDFDV302P_NB8V001TRFDV302PNB8V001