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FDS9958 /MOSFET -60V Dual P-Channel PowerTrench
FDS9958的规格信息
FDS9958的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:2.9 A

Rds On-漏源导通电阻:105 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.75 mm

长度:4.9 mm

系列:FDS9958

晶体管类型:2 P-Channel

宽度:3.9 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:3 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:27 ns

典型接通延迟时间:6 ns

单位重量:187 mg

供应商FDS9958
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FDS9958Dual P-Channel PowerTrench® MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO261.4 Kbytes共6页FDS9958的PDF下载地址FDS8960C_0511,FDD8424H,FDS8858CZ,FDMB3800N_0610,FDS3992_04,ZXMP6A16DN8,SPP6506,SUF3001,SI9948AEY,SI9933BDY
FDS9958F085Dual P-Channel PowerTrench® MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO555.65 Kbytes共6页FDS9958F085的PDF下载地址
FDS9958-F085MOSFET Dual P-Ch PowerTrench MOSON Semiconductor / FairchildON Semiconductor / Fairchild的LOGO488.65 Kbytes共9页FDS9958-F085的PDF下载地址
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FDS9958-NLDual P-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1029.21 Kbytes共9页FDS9958-NL的PDF下载地址
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FDS9958Fairchild SemiconductorFET - 阵列 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -60V Dual P-Channel PowerTrench1+:¥8.29
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FDS9958Fairchild SemiconductorFET - 阵列 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -60V Dual P-Channel PowerTrench1+:¥8.29
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FDS9958-F085ON SemiconductorMOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC$1.68000
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FDS9958-F085ON SemiconductorDUAL P-CHANNEL POWER TRENCH MOSF$0.76000
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Future(富昌)
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
FDS9958-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET Dual P-Ch PowerTrench MOS1:¥12.9046
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Rochester
FDS9958Fairchild SemiconductorFET - 阵列 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -60V Dual P-Channel PowerTrench1+:¥8.29
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立创商城
FDS9958ON(安森美)MOS(场效应管)1+:¥2.93
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立创商城
FDS9958-NLVBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)1+:¥1.97
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