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FDPF4N60NZ /MOSFET Dual 2A High-Speed Low-Side Gate Driver
FDPF4N60NZ的规格信息
FDPF4N60NZ的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:3.8 A

Rds On-漏源导通电阻:2.5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:5 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:8.3 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:28 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:UniFET

封装:Tube

高度:16.07 mm

长度:10.36 mm

产品:MOSFET

系列:FDPF4N60NZ

晶体管类型:2 N-Channel

宽度:4.9 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:3.3 S

下降时间:12.8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:15.1 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:30.2 ns

典型接通延迟时间:12.7 ns

单位重量:2.270 g

供应商FDPF4N60NZ
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深圳市芯幂科技有限公司FDPF4N60NZ深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市大源实业科技有限公司FDPF4N60NZ深圳市龙岗区坂田街道山海商业广场C座7070755-84862070
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
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