FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：22A（Ta）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：66nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：4225pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：15V
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），65W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：3 毫欧 @ 21A，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：8-PQFN（5x6）
封装/外壳：8-PowerTDFN
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs