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FDMB2307NZ /MOSFET 20V 2xCommon Drn Nch PowerTrench MOSFET
FDMB2307NZ的规格信息
FDMB2307NZ的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:MicroFET-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:18 A

Rds On-漏源导通电阻:16.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

Qg-栅极电荷:28 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.2 W

配置:Dual

商标名:PowerTrench

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.75 mm

长度:3 mm

系列:FDMB2307NZ

晶体管类型:2 N-Channel

宽度:2 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:17 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:34 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

单位重量:12 mg

供应商FDMB2307NZ
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13202105858		蔡升航Email:745217619@qq.com询价
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