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FDD10AN06A0_F085 /Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
FDD10AN06A0_F085的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：2,500

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：PowerTrench®

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：11A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：10.5 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：37nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1840pF @ 25V

功率 - 最大值：135W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：TO-252AA

其它名称：FDD10AN06A0_F085TR

供应商FDD10AN06A0_F085
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15989349634，13798567707		朱丽娜skype:bhtkj@hotmail.comEmail:bob@bhtkj.com询价
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FDD10AN06A0-F085MOSFET 60V, 50A, 10.5mOhm Power Trench MOSFETON Semiconductor / FairchildON Semiconductor / Fairchild的LOGO501.77 Kbytes共14页FDD10AN06A0-F085的PDF下载地址无
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Arrow(艾睿)		FDD10AN06A0_F085Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V, 50A, 10.5mOhm Power Trench MOSFET1+:￥11.5
10+:￥10.17
25+:￥9.19
100+:￥8.04
250+:￥7.05
500+:￥6.25
1000+:￥4.951+:￥8.8599
10+:￥6.8401
100+:￥5.47
500+:￥4.9901
1000+:￥4.72
2500+:￥4.3301
10000+:￥4.22
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		FDD10AN06A0_F085Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V, 50A, 10.5mOhm Power Trench MOSFET1+:￥11.5
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25000+:￥4.13
50000+:￥4.172500+:￥4.06
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		FDD10AN06A0_F085Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V, 50A, 10.5mOhm Power Trench MOSFET1+:￥11.5
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25+:￥9.19
100+:￥8.04
250+:￥7.05
500+:￥6.25
1000+:￥4.95
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FDD10AN06A0_F085Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V, 50A, 10.5mOhm Power Trench MOSFET1+:￥11.5
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		FDD10AN06A0-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V, 50A, 10.5mOhm Power Trench MOSFET1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2546
500:¥6.4071
1,000:¥5.0511
2,500:¥4.4861
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Verical		FDD10AN06A0_F085Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V, 50A, 10.5mOhm Power Trench MOSFET1+:￥11.5
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立创商城		FDD10AN06A0-F085ON(安森美)预售新品1+:￥13.64
200+:￥5.28
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