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FDB8445_F085 /Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB8445_F085, 70 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
FDB8445_F085的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

通道类型：N

最大连续漏极电流：70 A

最大漏源电压：40 V

最大漏源电阻值：0.0172 0hms

最小栅阈值电压：2.5V

最大栅源电压：-20 V、+20 V

封装类型：D2PAK (TO-263)

安装类型：表面贴装

晶体管配置：单

引脚数目：3

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：92 W

每片芯片元件数目：1

最低工作温度：-55 °C

尺寸：10.67 x 9.65 x 4.83mm

系列：PowerTrench

长度：10.67mm

晶体管材料：Si

高度：4.83mm

典型输入电容值@Vds：2860 pF @ 25 V

典型关断延迟时间：36 ns

典型接通延迟时间：10 ns

宽度：9.65mm

最高工作温度：+175 °C

典型栅极电荷@Vgs：44 nC @ 10 V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商FDB8445_F085
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深圳市宇浩扬科技有限公司FDB8445_F085深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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FDB8445_F085的全球分销商及价格
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		FDB8445_F085Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品1+:￥12.2199
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Verical		FDB8445_F085Fairchild SemiconductorFET - 单 PowerTrench® 分立半导体产品1+:￥12.2199
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