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FDA18N50 /MOSFET 500V N-CH MOSFET
FDA18N50的规格信息
FDA18N50的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-3PN-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Id-连续漏极电流:19 A

Rds On-漏源导通电阻:265 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:239 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:20.1 mm

长度:16.2 mm

系列:FDA18N50

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:25 S

下降时间:90 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:165 ns

工厂包装数量:450

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:95 ns

典型接通延迟时间:55 ns

单位重量:6.401 g

供应商FDA18N50
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深圳市维基鸿电子有限公司FDA18N50赛格科技园2栋100813148740189/ 19520735817/13632918917
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文小姐,米小姐,朱小姐Email:1076822082@QQ.COM询价
深圳市芯幂科技有限公司FDA18N50深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市威雅利发展有限公司FDA18N50华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
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深圳市辉华拓展电子有限公司FDA18N50深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
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林炜东,林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司FDA18N50深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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FDA18N50500V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO736.98 Kbytes共8页FDA18N50的PDF下载地址STW26NM50,FQP13N50CF,IRF840B_05,UF840,STP14NK50Z_06,PJD03N03,2SK3526-01L,STB10NK60Z,FDD6635,STB9NK90Z
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Digi-Key 得捷电子
FDA18N50ON SemiconductorMOSFET N-CH 500V 19A TO3PN$3.02000
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FDA18N50ON Semiconductor / FairchildMOSFET 500V N-CH MOSFET1:¥21.357
10:¥18.1365
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Rochester
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Verical
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元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
FDA18N50ON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):19A 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:265mΩ @ 9.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):239W 类型:N沟道1+:¥10.682
10+:¥7.91
30+:¥7.399
100+:¥6.888
500+:¥6.664
1000+:¥6.552