产品种类IGBT 模块

产品IGBT Silicon Modules

配置Single Dual Emitter Dual Collector

集电极—发射极最大电压 VCEO1600 V

集电极—射极饱和电压3.7 V

在25 C的连续集电极电流400 A

栅极—射极漏泄电流400 nA

功率耗散3.1 KW

最大工作温度+ 125 C

封装 / 箱体IHM130

栅极/发射极最大电压+/- 20 V

最小工作温度- 40 C

安装风格SMD/SMT

工厂包装数量8