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FCPF600N65S3R0 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 600uA 漏源导通电阻:600mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):24W(Tc) 类型:N沟道
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)650V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)6A(Tc)

栅源极阈值电压4.5V @ 600uA

漏源导通电阻600mΩ @ 3A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)24W(Tc)

类型N沟道

供应商FCPF600N65S3R0
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FCPF600N65S3R0连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 600uA 漏源导通电阻:600mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):24W(Tc) 类型:N沟道ON(安森美)ON(安森美)的LOGO287.26 Kbytes共11页FCPF600N65S3R0的PDF下载地址
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FCPF600N65S3R0LON SemiconductorMOSFET N-CH 650V 6A TO220F-3$0.60000
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FCPF600N65S3R0LON SemiconductorMOSFET SUPERFET3 650V 6A 600 mOhm1:¥10.7576
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100:¥7.0738
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FCPF600N65S3R0ON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 600uA 漏源导通电阻:600mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):24W(Tc) 类型:N沟道1+:¥4.32
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200+:¥4.53
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