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FCH125N65S3R0-F155 /MOSFET SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
FCH125N65S3R0-F155的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:24 A

Rds On-漏源导通电阻:125 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:46 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:181 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

系列:SuperFET3

商标:ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:16 S

下降时间:4.6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:19 ns

工厂包装数量:450

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:48 ns

典型接通延迟时间:21 ns

供应商FCH125N65S3R0-F155
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FCH125N65S3R0-F155连续漏极电流(Id)(25°C 时):24A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 590uA 漏源导通电阻:125mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):181W(Tc) 类型:N沟道ON(安森美)ON(安森美)的LOGO437.59 Kbytes共10页FCH125N65S3R0-F155的PDF下载地址
FCH125N65S3R0-F155的全球分销商及价格
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FCH125N65S3R0-F155ON SemiconductorMOSFET N-CH 650V 24A TO247-3$1.96000
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Digi-Key 得捷电子
FCH125N65S3R0-F155ON SemiconductorMOSFET N-CH 650V 24A TO247-3$4.06000
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FCH125N65S3R0-F155ON SemiconductorMOSFET SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm1:¥28.2726
10:¥24.0464
100:¥20.8259
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FCH125N65S3R0-F155ON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):24A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 590uA 漏源导通电阻:125mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):181W(Tc) 类型:N沟道1+:¥26.61
200+:¥10.3
500+:¥9.94
1000+:¥9.76