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FCB260N65S3 /MOSFET SUPERFET3 650V D2PAK PKG
FCB260N65S3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:D2PAK-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:12 A

Rds On-漏源导通电阻:260 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:24 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:90 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SuperFET3

晶体管类型:1 N-Channel SuperFET III MOSFET

商标:ON Semiconductor

下降时间:12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:18 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:49 ns

典型接通延迟时间:18 ns

供应商FCB260N65S3
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