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FCAB21520L1 /MOSFET Split wide Pad Dual CSP Nch MOSFET
FCAB21520L1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Panasonic

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TCSP1530011-N1-10

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:12 V

Id-连续漏极电流:35 A

Rds On-漏源导通电阻:3.1 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:900 mV

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:38 nC

最小工作温度:-

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.8 W

配置:Dual

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:FCAB

晶体管类型:2 N-Channel

商标:Panasonic

下降时间:4.1 us

产品类型:MOSFET

上升时间:2.6 us

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:6.8 us

典型接通延迟时间:1.5 us

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FCAB21520L1连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A,35A 漏源电压(Vdss):-12V 栅源极阈值电压:1.4V @ 1.64mA 漏源导通电阻:2mΩ @ 8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):540mW,3.8W 类型:双N沟道PANASONIC(松下)PANASONIC(松下)的LOGO872.6 Kbytes共6页FCAB21520L1的PDF下载地址
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FCAB21520L1PANASONIC(松下)连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A,35A 漏源电压(Vdss):-12V 栅源极阈值电压:1.4V @ 1.64mA 漏源导通电阻:2mΩ @ 8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):540mW,3.8W 类型:双N沟道1+:¥17.82
10+:¥15.41
30+:¥14.97
100+:¥14.52
500+:¥14.33
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