FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

DraintoSourceVoltage(Vdss)：100V

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：190A

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4.35V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：250nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：10700pF @ 25V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：568W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：6.5 毫欧 @ 180A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：底座安装

封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs