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F501D /连续漏极电流(Id)(25°C 时):30mA 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:- 漏源导通电阻:700Ω @ 3mA,0V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道
F501D的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)600V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)30mA

栅源极阈值电压-

漏源导通电阻700Ω @ 3mA,0V

最大功率耗散(Ta=25°C)500mW

类型N沟道

供应商F501D
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F501D连续漏极电流(Id)(25°C 时):30mA 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:- 漏源导通电阻:700Ω @ 3mA,0V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道PIP(丽隽)PIP(丽隽)的LOGO1.41 Mbytes共6页F501D的PDF下载地址
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F501DPIP(丽隽)连续漏极电流(Id)(25°C 时):30mA 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:- 漏源导通电阻:700Ω @ 3mA,0V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:N沟道10+:¥0.312515
100+:¥0.237545
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