产品：IGBT Silicon Modules

配置：3-Phase

集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V

集电极—射极饱和电压：1.55 V

在25 C的连续集电极电流：45 A

栅极—射极漏泄电流：400 nA

功率耗散：150 W

最大工作温度：+ 150 C

封装 / 箱体：Module

商标：Infineon Technologies

栅极/发射极最大电压：20 V

最小工作温度：- 40 C

安装风格：SMD/SMT

工厂包装数量：24

ROHS： 无铅