制造商:Shindengen

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:MTO-3P-3

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:20 A

Rds On-漏源导通电阻:190 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:87 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:75 W

封装:Tube

商标:Shindengen

正向跨导 - 最小值:8.7 S

下降时间:60 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:60 ns

工厂包装数量:30

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:355 ns

典型接通延迟时间:32 ns