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ES2GB /正向压降(Vf):1.15V @ 2A 直流反向耐压(Vr):400V 反向恢复时间(trr):35ns 平均整流电流(Io):2A
ES2GB的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型超快恢复二极管

反向恢复时间(trr)35ns

直流反向耐压(Vr)400V

平均整流电流(Io)2A

正向压降(Vf)1.15V @ 2A

供应商ES2GB
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芯莱德电子(香港)有限公司ES2GB深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市高捷芯城科技有限公司ES2GB深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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深圳市宇浩扬科技有限公司ES2GB深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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ES2GBGSURFACE MOUNT SUPER FAST RECOVERY RECTIFIER CHENDA[Microdiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd.]CHENDA[Microdiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd.]的LOGO948.86 Kbytes共3页ES2GBG的PDF下载地址
ES2GB的全球分销商及价格
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ES2GB晶导微电子正向压降(Vf):1.15V @ 2A 直流反向耐压(Vr):400V 反向恢复时间(trr):35ns 平均整流电流(Io):2A20+:¥0.133992
200+:¥0.101004
600+:¥0.094945
2000+:¥0.088886
10000+:¥0.086194
20000+:¥0.084863
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ES2GBFSHIKUES(时科)正向压降(Vf):1.25V @ 2A 直流反向耐压(Vr):400V 反向恢复时间(trr):35ns 平均整流电流(Io):2A10+:¥0.191962
100+:¥0.141976
300+:¥0.132795
1000+:¥0.123613
5000+:¥0.119533
10000+:¥0.117517
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ES2GBGSHIKUES(时科)正向压降(Vf):1.25V @ 2A 直流反向耐压(Vr):400V 反向恢复时间(trr):35ns 平均整流电流(Io):2A20+:¥0.170891
200+:¥0.128908
600+:¥0.121197
2000+:¥0.113486
10000+:¥0.110059
20000+:¥0.108365