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EPC8004ENGR /EPC/分立半导体产品
EPC8004ENGR的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:10

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:eGaN®

包装:托盘

FET 类型:GaNFET N 通道,氮化镓

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.4A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):125 毫欧 @ 500mA,5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):-

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):45pF @ 20V

功率 - 最大值:-

安装类型:表面贴装

封装/外壳:模具

供应商器件封装:模具

其它名称:917-EPC8004ENGREPC8004ENGA

供应商EPC8004ENGR
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