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EMB09P03V /连续漏极电流(Id)(25°C 时):24A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:9.5mΩ @ 13A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道
EMB09P03V的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)24A(Tc)

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻9.5mΩ @ 13A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)2.5W

类型P沟道

供应商EMB09P03V
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深圳亿恒升电子有限公司EMB09P03V都会100A座24A0755-29992989,0755-23945396
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深圳市金华微盛电子有限公司EMB09P03V深圳市福田区中航路新亚洲2期N4A13113510157626
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EMB09P03VEMC(杰力)连续漏极电流(Id)(25°C 时):24A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:9.5mΩ @ 13A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道1+:¥1.4697
10+:¥1.1099
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