图像仅供参考,请参阅规格书
驱动配置:半桥
通道类型:独立式
驱动器数:4
栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET
电压 - 电源:4.5 V ~ 15 V
逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.4V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,2A
输入类型:反相
上升/下降时间(典型值):7.5ns,10ns
工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:20-SOIC
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs