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E4D20120G /1200 V 20 A SCHOTTKY DIODE (SING
E4D20120G的规格信息
E4D20120G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

SeriesE-Series, Automotive

PackageTube

Diode TypeSilicon Carbide Schottky

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V

Current - Average Rectified (Io)56A (DC)

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.8 V @ 20 A

SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)0 ns

Current - Reverse Leakage @ Vr200 µA @ 200 µA

Capacitance @ Vr, F1474pF @ 0V, 1MHz

Mounting TypeSurface Mount

Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Supplier Device PackageTO-263-2

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C

供应商E4D20120G
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