不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
频率 - 跃迁:200MHz
功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
晶体管类型:PNP - 预偏压
电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10k
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):56 @ 50mA,5V
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs