不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：300mV @ 2.5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA（ICBO）

频率 - 跃迁：200MHz

功率 - 最大值：200mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

晶体管类型：PNP - 预偏压

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）：10k

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：56 @ 50mA，5V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs