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DTA123EM3T5G /双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
DTA123EM3T5G的规格信息
DTA123EM3T5G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 预偏置

RoHS:

配置:Single

晶体管极性:PNP

典型输入电阻器:2.2 kOhms

典型电阻器比率:0.1

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-723-3

直流集电极/Base Gain hfe Min:8, 15

集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V

集电极连续电流:0.1 A

峰值直流集电极电流:100 mA

Pd-功率耗散:260 mW

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:DTA123EM3

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

直流电流增益 hFE 最大值:80

高度:0.5 mm

长度:1.2 mm

宽度:0.8 mm

商标:ON Semiconductor

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

工厂包装数量:8000

子类别:Transistors

供应商DTA123EM3T5G
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DTA123EM3T5GDigital Transistors (BRT) R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO133.25 Kbytes共10页DTA123EM3T5G的PDF下载地址
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DTA123EM3T5GON SemiconductorTRANS PREBIAS PNP 50V SOT723$0.05745
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