数据列表:DSK9J01 View All Specifications
标准包装:3,000
类别:分立半导体产品
家庭:JFET(结点场效应
系列:-
包装:带卷(TR)
FET 类型:N 沟道
电压 - 击穿(V(BR)GSS):-
漏源极电压(Vdss):55V
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):1mA @ 10V
漏极电流(Id) - 最大值:30mA
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):5V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6pF @ 10V
电阻 - RDS(开):-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-89,SOT-490
供应商器件封装:SS迷你型3-F3-B
功率 - 最大值:125mW
其它名称:DSK9J01P0LTR