Rohs：Lead free / RoHS Compliant

标准包装：9

格式 - 记忆：RAM

Memory 型 ：NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

内存大小 ：2M (128K x 16)

速度 ：100ns

接口 ：Parallel (Byte-wide)

- 电源电压：3 V ~ 3.6 V

操作温度 ：-40°C ~ 85°C

包/盒 ：40-DIP Module (0.610, 15.495mm)

供应商器件封装：40-EDIP

包装材料 ：Box

封装：Tube

格式 - 存储器：RAM

标准包装：9

供应商设备封装：40-EDIP

内存类型：NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

工作温度：-40°C ~ 85°C

存储容量：2M (128K x 16)

电压 - 电源：3 V ~ 3.6 V

封装/外壳：40-DIP Module (0.610", 15.495mm)

接口：Parallel

速度：100ns