图像仅供参考,请参阅规格书
存储器类型:非易失
存储器格式:NVSRAM
技术:NVSRAM(非易失性 SRAM)
存储容量:4Mb (512K x 8)
写周期时间 - 字,页:70ns
访问时间:70ns
存储器接口:并联
电压 - 电源:4.75 V ~ 5.25 V
工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
安装类型:通孔
封装/外壳:32-DIP 模块(0.600",15.24mm)
供应商器件封装:32-EDIP
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs