数据列表：DRC5643T View All Specifications

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：600mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：20V

电阻器 - 基底（R1）（欧姆）：4.7k

电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）：-

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 50mA，5V

不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：80mV @ 2.5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）

频率 - 跃迁：-

功率 - 最大值：150mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-85

供应商器件封装：SMini3-F2-B

其它名称：DRC5643T0L-NDDRC5643T0LTR