数据列表：DRA5124E View All Specifications

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：PNP - 预偏压

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基底（R1）（欧姆）：22k

电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）：22k

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：60 @ 5mA，10V

不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：250mV @ 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：-

功率 - 最大值：150mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-85

供应商器件封装：SMini3-F2-B

其它名称：DRA5124E0L-NDDRA5124E0LTR