数据列表：DRA2533Q View All Specifications
标准包装：3,000
类别：分立半导体产品
家庭：晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式
系列：-
包装：带卷（TR）
晶体管类型：PNP - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）：3.1k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）：4.6k
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：50 @ 100mA，10V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：250mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：1µA
频率 - 跃迁：-
功率 - 最大值：200mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：迷你型3-G3-B
其它名称：DRA2533Q0L-NDDRA2533Q0LTR