数据列表：DN2535

PCN 组件/产地：Fab Site Addition 14/Aug/2014 Fab Site Revision 07/Apr/2015

标准包装：2,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：-

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：350V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：120mA（Tj）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：25 欧姆 @ 120mA，0V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：-

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：300pF @ 25V

功率 - 最大值：1W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体

供应商器件封装：TO-92（TO-226）