系列：汽车级，AEC-Q101
FET类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
DraintoSourceVoltage(Vdss)：40V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：13A（Ta），80A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：25.5nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1405pF @ 20V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：1.5W（Ta），100W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：10 毫欧 @ 20A，10V
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerTDFN
无铅情况/RoHs：否