FET类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
DraintoSourceVoltage(Vdss)：900V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：20.3nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1487pF @ 25V
Vgs（最大值）：±30V
功率耗散（最大值）：40W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：2.2 欧姆 @ 3A，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片
无铅情况/RoHs：否