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DMN65D8LFB-7B /MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-10 X1-DFN1006-3 T&R 10K
DMN65D8LFB-7B的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:X1-DFN1006-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:400 mA

Rds On-漏源导通电阻:3 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:840 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:DMN65

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Diodes Incorporated

下降时间:6.29 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:3.15 ns

工厂包装数量:10000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:12.025 ns

典型接通延迟时间:3.27 ns

供应商DMN65D8LFB-7B
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深圳市辉华拓展电子有限公司DMN65D8LFB-7B深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
18129819897
蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市芯幂科技有限公司DMN65D8LFb-7B深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司DMN65D8LFB-7B深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
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林炜东,林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司DMN65D8LFb-7B航都大厦10I0755-23990975
13926529829,17318082080
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市水星电子有限公司DMN65D8LFB-7B地址1:深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2:深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
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深圳市安富世纪电子有限公司DMN65D8LFB-7B深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳博睿鹏成科技有限公司DMN65D8LFB-7B深圳市坪山区坪山街道六联社区坪山大道2009号城投芯时代大厦4030755-23251550
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深圳市毅创腾电子科技有限公司DMN65D8LFB-7B深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市拓亿芯电子有限公司DMN65D8LFB-7B深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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芯莱德电子(香港)有限公司DMN65D8LFb-7B深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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深圳市高捷芯城科技有限公司DMN65D8LFb-7B深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
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15989349634,13798567707
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司DMN65D8LFB-7B深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司DMN65D8LFB-7B深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
19147724283,19147721680
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深圳市凌特半导体科技有限公司DMN65D8LFB-7B广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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DMN65D8LFB-7BN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO334.35 Kbytes共6页DMN65D8LFB-7B的PDF下载地址
DMN65D8LFB-7BN-Channel MOSFET DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO334.35 Kbytes共6页DMN65D8LFB-7B的PDF下载地址
DMN65D8LFb-7B连续漏极电流(Id)(25°C 时):260mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:3Ω @ 115mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):430mW 类型:N沟道DIODES(美台)DIODES(美台)的LOGO257.59 Kbytes共6页DMN65D8LFb-7B的PDF下载地址
DMN65D8LFB-7B的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
DMN65D8LFB-7BDIODES ZETEX1+:¥2.4
10+:¥2.2
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100+:¥0.53
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10000+:¥0.27
20000+:¥0.26
50000+:¥0.26
100000+:¥0.231+:¥0.51
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Avnet Express
DMN65D8LFB-7BDiodes Incorporated10,000 : $0.031
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Digi-Key 得捷电子
DMN65D8LFB-7BDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN$0.34000
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Digi-Key 得捷电子
DMN65D8LFB-7BDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN10 : $0.26
1 : $0.32
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Digi-Key 得捷电子
DMN65D8LFB-7BDiodes Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-10 X1-DFN1006-3 T&R 10K1+:¥2.4
10+:¥2.2
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5000+:¥0.3499
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Mouser 贸泽电子
DMN65D8LFB-7BDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-10 X1-DFN1006-3 T&R 10K1:¥2.4634
10:¥1.6272
100:¥0.68365
1,000:¥0.46104
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Mouser 贸泽电子
DMN65D8LFB-7BDiodes Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-10 X1-DFN1006-3 T&R 10K1+:¥2.4
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Verical
DMN65D8LFB-7BZetex / Diodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A Automotive 3-Pin DFN EP T/R$0.065
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Verical
DMN65D8LFB-7BDIODES ZETEX1+:¥2.4
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100000+:¥0.231+:¥0.511+:¥0.47
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
DMN65D8LFb-7BDIODES(美台)连续漏极电流(Id)(25°C 时):260mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:3Ω @ 115mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):430mW 类型:N沟道10+:¥0.370871
100+:¥0.280907
300+:¥0.264383
1000+:¥0.247859
5000+:¥0.240515
10000+:¥0.236886