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DMN6140L-7 /MOSFET 31V to 99V N-Ch FET 60Vds 20Vgs 2.3A
DMN6140L-7的规格信息
DMN6140L-7的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:2.3 A

Rds On-漏源导通电阻:140 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:8.6 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.3 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:DMN614

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Diodes Incorporated

下降时间:2.7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:3.6 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:16.3 ns

典型接通延迟时间:2.6 ns

单位重量:8 mg

供应商DMN6140L-7
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现代芯城(深圳)科技有限公司DMN6140L-7www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司DMN6140L-7深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司DMN6140L-7深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480
林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司DMN6140L-7深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司DMN6140L-7深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779
林炜东,林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司DMN6140L-7航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市水星电子有限公司DMN6140L-7地址1:深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2:深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
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深圳市安富世纪电子有限公司DMN6140L-7深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳和润天下电子科技有限公司DMN6140L-7深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳博睿鹏成科技有限公司DMN6140L-7深圳市坪山区坪山街道六联社区坪山大道2009号城投芯时代大厦4030755-23251550
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深圳市毅创腾电子科技有限公司DMN6140L-7深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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郑小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司DMN6140L-7深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市百域芯科技有限公司DMN6140L-7世纪汇都会轩45070755-82788062
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深圳市拓亿芯电子有限公司DMN6140L-7深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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芯莱德电子(香港)有限公司DMN6140L-7深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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深圳市高捷芯城科技有限公司DMN6140L-7深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市博浩通科技有限公司DMN6140L-7华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
15989349634,13798567707
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DMN6140L-760V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO588.5 Kbytes共6页DMN6140L-7的PDF下载地址
DMN6140L-7Low Input Capacitance DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO582.87 Kbytes共6页DMN6140L-7的PDF下载地址
DMN6140L-7的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)
DMN6140L-7DIODES ZETEX1+:¥2.98
10+:¥2.13
25+:¥1.66
100+:¥1.26
250+:¥0.89
500+:¥0.71
1000+:¥0.551+:¥2.32
10+:¥1.3301
100+:¥0.57
1000+:¥0.44
3000+:¥0.38
9000+:¥0.34
24000+:¥0.34
45000+:¥0.3101
99000+:¥0.33000+:¥0.32
9000+:¥0.3
18000+:¥0.291+:¥0.8399
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Avnet Express
DMN6140L-7Diodes Incorporated3,000 : $0.06
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Digi-Key 得捷电子
DMN6140L-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23$0.37000
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Digi-Key 得捷电子
DMN6140L-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-2310 : $0.261
1 : $0.35
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Digi-Key 得捷电子
DMN6140L-7Diodes Inc.FET - 单 - 分立半导体产品1+:¥2.98
10+:¥2.13
25+:¥1.66
100+:¥1.26
250+:¥0.89
500+:¥0.71
1000+:¥0.55
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Future Electronics
DMN6140L-7Diodes IncorporatedN-Channel 60 V 140 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23
RoHS : Compliant
3,000 : $0.0474
9,000 : $0.0434
18,000 : $0.0421
元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)
DMN6140L-7Diodes Inc.FET - 单 - 分立半导体产品1+:¥2.98
10+:¥2.13
25+:¥1.66
100+:¥1.26
250+:¥0.89
500+:¥0.71
1000+:¥0.551+:¥2.32
10+:¥1.3301
100+:¥0.57
1000+:¥0.44
3000+:¥0.38
9000+:¥0.34
24000+:¥0.34
45000+:¥0.3101
99000+:¥0.33000+:¥0.32
9000+:¥0.3
18000+:¥0.29
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Mouser 贸泽电子
DMN6140L-7Diodes IncorporatedMOSFET 31V to 99V N-Ch FET 60Vds 20Vgs 2.3A1:¥2.6894
10:¥1.7628
100:¥0.75258
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
DMN6140L-7Diodes Inc.FET - 单 - 分立半导体产品1+:¥2.98
10+:¥2.13
25+:¥1.66
100+:¥1.26
250+:¥0.89
500+:¥0.71
1000+:¥0.551+:¥2.32
10+:¥1.3301
100+:¥0.57
1000+:¥0.44
3000+:¥0.38
9000+:¥0.34
24000+:¥0.34
45000+:¥0.3101
99000+:¥0.3
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Verical
DMN6140L-7Zetex / Diodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R$0.0512
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
DMN6140L-7Zetex / Diodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R$0.1178
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
DMN6140L-7DIODES(美台)连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.6A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:140mΩ @ 1.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):700mW 类型:N沟道5+:¥0.661652
50+:¥0.478803
150+:¥0.445219
500+:¥0.411635
2500+:¥0.396708
5000+:¥0.389333