数据列表：DME914C1 View All Specifications
标准包装：8,000
类别：分立半导体产品
家庭：晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式
系列：-
包装：带卷（TR）
晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：100mA，500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，12V
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）：4.7k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）：47k
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：80 @ 5mA，10V / 270 @ 10mA，2V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：250mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA
电流 - 集电极截止（最大值）：500nA
频率 - 跃迁：300MHz
功率 - 最大值：125mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-563，SOT-666
供应商器件封装：SSMini6-F3-B
其它名称：DME914C10R-NDDME914C10RTR