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DI9956T /Diodes Incorporated/分立半导体产品
DI9956T的规格信息
DI9956T的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:1

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:-

包装:剪切带(CT)

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.7A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):80 毫欧 @ 2.2A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):27nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):320pF @ 10V

功率 - 最大值:2W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SOP

其它名称:DI9956DI9956CT

供应商DI9956T
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10+:¥18.23
25+:¥16.33
100+:¥14.68
250+:¥13.0301
500+:¥11.39
1000+:¥9.43
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