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DF23MR12W1M1B11BOMA1 /分立半导体模块
DF23MR12W1M1B11BOMA1的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:分立半导体模块

RoHS:是

产品:Power MOSFET Modules

类型:SiC Power MOSFET

Vf - 正向电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V, 20 V

安装风格:Press Fit

封装 / 箱体:Easy1B-2

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Tray

配置:Dual

商标:Infineon Technologies

晶体管极性:N-Channel

下降时间:13 ns

Id-连续漏极电流:25 A

工作电源电压:-

Pd-功率耗散:20 mW

产品类型:Discrete Semiconductor Modules

Rds On-漏源导通电阻:45 mOhms

上升时间:7.2 ns

工厂包装数量:24

子类别:Discrete Semiconductor Modules

商标名:CoolSIC

典型关闭延迟时间:38.5 ns

典型接通延迟时间:11.5 ns

Vds-漏源极击穿电压:1200 V

Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V

零件号别名:DF23MR12W1M1_B11 SP001602244

供应商DF23MR12W1M1B11BOMA1
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DF23MR12W1M1B11BOMA1MOSFET MODULE 1200V 25AInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO583.64 Kbytes共10页DF23MR12W1M1B11BOMA1的PDF下载地址无
DF23MR12W1M1B11BOMA1EASYPACK MODUL MIT COOLSIC TRENCInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO583.64 Kbytes共10页DF23MR12W1M1B11BOMA1的PDF下载地址无
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