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DF200R12KE3 /IGBT 模块 1200V 200A DUAL
DF200R12KE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:IGBT 模块

RoHS:

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

集电极—射极饱和电压:1.7 V

在25 C的连续集电极电流:200 A

栅极—射极漏泄电流:400 nA

Pd-功率耗散:1.04 kW

封装 / 箱体:IS5a ( 62 mm )-5

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 125 C

封装:Tray

高度:30.9 mm

长度:106.4 mm

宽度:61.4 mm

商标:Infineon Technologies

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:10

子类别:IGBTs

零件号别名:DF200R12KE3HOSA1 SP000100741

单位重量:340 g

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