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DDTD123TC-7-F /Diodes Incorporated/分立半导体产品
DDTD123TC-7-F的规格信息
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RoHS指令信息:RoHS Cert of Compliance

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

系列:-

包装:带卷(TR)

晶体管类型:NPN - 预偏压

电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2k

电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):-

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 50mA,5V

不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)

频率 - 跃迁:200MHz

功率 - 最大值:200mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:SOT-23-3

其它名称:DDTD123TC-7-F-NDDDTD123TC-7-FDITRDDTD123TC7F

供应商DDTD123TC-7-F
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DDTD123TC-7-F集电极电流Ic:500mA 额定功率:200mW 晶体管类型:NPN - 预偏压 集射极击穿电压Vce:50VDIODES(美台)DIODES(美台)的LOGO74.60 Kbytes共4页DDTD123TC-7-F的PDF下载地址
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DDTD123TC-7-FDIODES ZETEX3000+:¥0.37
6000+:¥0.32
15000+:¥0.27
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10+:¥1.1799
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
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10:¥1.5255
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DDTD123TC-7-FDIODES(美台)集电极电流Ic:500mA 额定功率:200mW 晶体管类型:NPN - 预偏压 集射极击穿电压Vce:50V10+:¥0.244657
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