DDB6U75N16YR
/IGBT 模块 N-CH 1.2KV 69A
DDB6U75N16YR的规格信息
产品:IGBT Silicon Modules
配置:Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
在25 C的连续集电极电流:69 A
最大工作温度:+ 125 C
封装 / 箱体:EASY2
商标:Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
最小工作温度:- 40 C
安装风格:Screw
工厂包装数量:4
ROHS: 无铅
DDB6U75N16YR
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DDB6U75N16YR | IGBT-modules | EUPEC[eupec GmbH] | ![EUPEC[eupec GmbH]的LOGO](/PdfSupLogo/246EUPEC.GIF) | 284.26 Kbytes | 共8页 |  | 无 |
DDB6U75N16YR的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Avnet Express | DDB6U75N16YR | Infineon Technologies Americas Inc. | | 20 : $55.855
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