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D5011UK /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-50V-500MHz SE

D5011UK的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:TT Electronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:3 A

Vds-漏源极击穿电压:125 V

增益:13 dB

输出功率:10 W

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

配置:Single

工作频率:500 MHz

类型:RF Power MOSFET

商标:Semelab / TT Electronics

Pd-功率耗散:30 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V to 7 V

D5011UK

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D5011UK	METAL GATE RF SILICON FET	SEME-LAB[Seme LAB]		251.49 Kbytes	共6页		无

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Mouser 贸泽电子	D5011UK	Semelab / TT Electronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-50V-500MHz SE	1:¥243.2777 10:¥214.8469 25:¥194.9476 50:¥173.5793

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