封装/外壳：BG-D5826K-1

封装：Tray

MXHTS：85411001

RoHS compliant：yes

Packing Type：TRAY

Moisture Level：NA

Configuration：Fast Rectifier Diodes

Housing：Disc dia 58mm height 26mm / Ceramic

IFSM [A] (@10ms, Tvj max)：4500.0

rT [mΩ] (@Tvj max) max：1.76

Tvj [°C] max：125.0

VT0 [V] (@Tvj max) max：1.9

∫I2dt [A²s · 103] (@10ms, Tvj max)：100.0

IFAVM/TC [A/°C] (@180° el sin)：290/85

RthJC [K/kW] (@180° el sin) max：40.0

RthJC [K/kW] (@180° el sin) max：40.0

VRRM max：4500.0V

rT [mΩ] (@Tvj max) max：1.76

Clamping force [kn] min max：9.0 13.0

Tvj [°C] max：125.0

IFAVM/Tc：290/85 (180 ° el sin)

VT0 [V] (@Tvj max) max：1.9

∫I2dt [A²s · 103] (@10ms, Tvj max)：100.0

IFSM [A] (@10ms, Tvj max)：4500.0

I(FSM) max：4500.0A

IFAVM/TC [A/°C] (@180° el sin)：290/85

I(FSM) max：4500.0 A

VRRM [V]：4500.0

VF/IF [V/kA] (@Tvj max)：4.15/1.2

VRRM max：4500.0 V

Clamping force [kn] min max：9.0 13.0

VF/IF [V/kA] (@Tvj max)：4.15/1.2

IRM [A] (@IF = IFAVM, di/dt = 50 A/µs) max：500.0

IRM [A] (@IF = IFAVM, di/dt = 50 A/µs) max：500.0

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs