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D2031UK /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 7.5W-28V-1GHz SE

D2031UK的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:TT Electronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:3 A

Vds-漏源极击穿电压:65 V

增益:10 dB

输出功率:7.5 W

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:F-0127-8

配置:Single

高度:2.31 mm

长度:6.5 mm

工作频率:1 GHz

类型:RF Power MOSFET

宽度:5.5 mm

商标:Semelab / TT Electronics

Pd-功率耗散:17.5 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:0.5 V to 7 V

D2031UK

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D2031UK	METAL GATE RF SILICON FET	SEME-LAB[Seme LAB]		15.46 Kbytes	共2页		D1010UK,D1029UK,D1211UK,D2011UK,D2211UK,D2293UK,D5028UK,D1011UK,D1031UK,D1212UK

D2031UK的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Mouser 贸泽电子	D2031UK	Semelab / TT Electronics	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 7.5W-28V-1GHz SE	100:¥422.0098

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