封装/外壳：BG-D12026K-1

封装：Tray

MXHTS：85411001

RoHS compliant：yes

Packing Type：TRAY

Moisture Level：NA

Configuration：IGCT/IGBT - Freewheeling Diodes

Housing：Disc Dia 120mm height 26mm / Ceramic

IFSM [A] (@10ms, Tvj max)：40000.0

rT [mΩ] (@Tvj max) max：0.5

Tvj [°C] max：140.0

VT0 [V] (@Tvj max) max：1.25

∫I2dt [A²s · 103] (@10ms, Tvj max)：8000.0

IFAVM/TC [A/°C] (@180° el sin)：1830/85

VRRM max：4500.0V

rT [mΩ] (@Tvj max) max：0.5

Clamping force [kn] min max：36.0 52.0

VR(D) [kV] (@TC = 25°)：2.8

Tvj [°C] max：140.0

VT0 [V] (@Tvj max) max：1.25

∫I2dt [A²s · 103] (@10ms, Tvj max)：8000.0

IFSM [A] (@10ms, Tvj max)：40000.0

I(FSM) max：40000.0A

IFAVM/TC [A/°C] (@180° el sin)：1830/85

I(FSM) max：40000.0 A

VRRM [V]：4500.0

VF/IF [V/kA] (@Tvj max)：2.5/2.5

VRRM max：4500.0 V

Clamping force [kn] min max：36.0 52.0

VF/IF [V/kA] (@Tvj max)：2.5/2.5

IRM [A] (@di/dt = 1000 A/µs, IFM = 2.5 kA, Tvj max) max：2250.0

IRM [A] (@di/dt = 1000 A/µs, IFM = 2.5 kA, Tvj max) max：2250.0

RthJC [K/kW] (@DC) max：7.5

VR(D) [kV] (@TC = 25°)：2.8

RthJC [K/kW] (@DC) max：7.5

Qr [mAs] (@di/dt = 1000 A/µs, IFM = 2.5 kA, Tvj max) max：12.0

Qr [mAs] (@di/dt = 1000 A/µs, IFM = 2.5 kA, Tvj max) max：12.0

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs