CS7N80FA9
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.8Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W(Tc) 类型:N沟道
CS7N80FA9的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)7A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻1.8Ω @ 3.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)48W(Tc)
类型N沟道
CS7N80FA9
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| CS7N80FA9 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.8Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W(Tc) 类型:N沟道 | 华润华晶 |  | 303.37 Kbytes | 共10页 |  | 无 |
CS7N80FA9的全球分销商及价格
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 立创商城 | CS7N80FA9 | 华润华晶 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.8Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥2.99 10+:¥2.15 30+:¥1.99 100+:¥1.84 500+:¥1.77 1000+:¥1.74
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