CS630A4H
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:280mΩ @ 5.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W(Tc) 类型:N沟道
CS630A4H的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)9A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻280mΩ @ 5.4A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)83W(Tc)
类型N沟道
CS630A4H
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| CS630A4H | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:280mΩ @ 5.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W(Tc) 类型:N沟道 | 华润华晶 |  | 723.24 Kbytes | 共10页 |  | 无 |
CS630A4H的全球分销商及价格
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 立创商城 | CS630A4H | 华润华晶 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:280mΩ @ 5.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥1.1708 10+:¥0.856 30+:¥0.7981 100+:¥0.7403 500+:¥0.7146 1000+:¥0.7019
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