CS25N06B4
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:36mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道
CS25N06B4的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)25A(Tc)
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻36mΩ @ 18A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)50W(Tc)
类型N沟道
CS25N06B4
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| CS25N06B4 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:36mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道 | 华润华晶 |  | 697.55 Kbytes | 共10页 |  | 无 |
CS25N06B4的全球分销商及价格
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 立创商城 | CS25N06B4 | 华润华晶 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:36mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥1.1096 10+:¥0.8497 30+:¥0.8019 100+:¥0.7542 500+:¥0.733 1000+:¥0.7225
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